物联网资讯
- 万物智能化 英特尔将全面进入云计算时代
- 新讯息
- 焦点
- 物联网:构建统一标准 打造商业模式
- 几项物联网商业应用模式剖析
- 安防时代:智能家居势不可挡
- ETC产业爆发在即 智能交通领域经济效益明显
- NFC手机成长带劲 2018年出货量将达12亿
- 云计算技术平台下物联网助力IPv6寻址策略研究
- 美的联手阿里巴巴深挖"大数据" 云智能家电来了
- 用物联网对抗气候变化
- 用物联网技术实现对污染物全程跟踪
- 从CeBIT看无线物联网发展
- 物联网智能家电 平台有望成型
- 博通与上海科大合作 并成立物联网联合创新中心
- 物联网医学对传统医疗模式的颠覆点在哪里?
- 可穿戴设备让曾经的科幻变为现实
- 在“物联网”的构想中 物联网和RFID的关系
- 光纤通信与光纤传感在物联网中的作用
- 大数据带来科技变革动力
- 5G时代即将来临 开启物联网新世界应用
- 物联网技术为解救雾霾天气出力
- 物联网开启:数据将成智能家电焦点
- Gartner:物联网将改变数据中心
- IBM大数据与分析迈入认知计算时代
- 2014技术发展趋势:云计算/大数据/物联网
- 大数据将成智能家居的核心
- 产品频出 智能家居需求究竟有多大?
- ETC全国联网开启物联网百亿市场
- 盘点全球最具物联网影响力的5个国家
- 传统家电业瞄上物联网
- 智能家居:WiFi与ZigBee谁主沉浮?
- 物联网:智慧城市新“管家”家庭安防老人及儿童看护
- 邬贺铨:物联网是下一代互联网应用特征
- 英特尔副总裁方之熙:物联时代的创新
- 云计算有哪些应用场景?
- 英特尔宣布新计划,全力支持中国产业智能互联创新
- 物联网为3G+WLAN组网模式提供了巨大机遇
- 安捷伦将PNA-X 网络分析仪扩展至8.5 GHz
- 智能满天飞 可穿戴产品路在何方?
- 光纤传感
- 智能家居无线传输技术ZIGBEE无挑战者
- 德州仪器建立物联网云生态系统
- 英特尔以创新布局物联网
- 云计算和物联网的美妙融合
- IT/物联网跨界融合催生安防产业新模式
- 物联网拉动CRM投资
- 2014智能家居新趋势
- 智能家居展开幕,物联网时代到来
- 微软大数据切入角度:将Office作为UI
- 快数据如何在物联网高速公路上驱动分析
- 美国成立工业互联网联盟 望促物联网技术
- 物联网应用“飞入”中国寻常百姓家
- 物联网智能通道解决方案
- 物联网技术在医院的应用
- 让物联网改变天空的颜色
- 中移动强化4G布局 家电物联网借道提速
- 蓝牙,正在走向每个人
- 物联网:企业需要面临七大风险
- 智能家天下 红海将至安防蓝海仍需探索
- 五花八门的蓝牙应用杀入物联网
- 大数据,物联网的真正大脑
- 从眼镜、手环到衣物 智能穿戴产品靠谱吗?
- 智能家居将牵手无线技术与云计算
- 智能家居 将携手无线技术、云计算
- 物联网大数据挑战
- 微软物联网战略:Azure贯穿始末
- 大数据时代的“最强大脑”
- FR301型读写器
- RFM104型模块
- IR301超高频一体机
- RFM101型模块
- 微软CEO:物联网和Office是大数据源头
- 支援IPv6 蓝牙4.1冲刺物联网市占
- 意法半导体:高性价比芯片进军物联网
- GSMA:看好4G、可穿戴、车联网及物联网发展
- 以太网无处不在:未来的工业物联网网络
- 2025年物联网带来的机遇与挑战
- 云计算、大数据、物联网发展趋势
- 韩拟携手欧盟打造5G物联网时代 或2020年商用
- 打开智能物联网创新之门
- 物联网时代来了
- 嵌入式系统展已成智能硬件与物联网天下
- 德国力推物联网技术 让工厂不再有工人
- 借助物联网远程监控健康指数(图)
- Lantiq:宽带网关成为智能家居网络中心节点取得新进展
- 恩智浦为安全NFC移动交易铺平道路
- 英飞凌增强型NFC安全元件为智能穿戴设备保障安全
- ARM:未来在物联网和云端
- 意法半导体推出新技术:VL53L1X测距长度扩至4米时间只需5ms
- 赛灵思CEO换代,看新CEO如何掌舵
- Marvell推出业界首个NVMe芯片组解决方案以满足新兴数据中心的SSD需求
- 芯片制造:必须倚靠自主研发
- 大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
- 硅晶圆持续缺货 2018年报价再上涨两成!
- CITE 2018圆满落幕,企业和研究机构交出怎样的答卷?
- 美科技公司深陷困局?美媒担忧中国亮出“终级武器”
- 世界半导体行情已显现出源自中国的波动迹象
- 物联网的发展为什么如此缓慢
- 杉金光电年产5000万平方项目签约绵阳 超宽幅和宽幅的2条偏光片生产线
大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET,使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求,并提高可靠性和降低系统成本。
大联大品佳代理的英飞凌的这款SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。还能带来诸多益处,如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量,便于打造更小、更轻的系统,从而减少运输工作量,并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。
这款全新的MOSFET融汇了Infineon在SiC领域多年的开发经验,基于先进的沟槽半导体工艺,代表着Infineon CoolSiC产品家族的最新发展。首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻(RDS(ON))额定值为45mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装,4引脚封装有一个额外的源极连接端子(Kelvin),作为门极驱动的信号管脚,以消除由于源极电感引起的压降的影响,这可以进一步降低开关损耗,特别是在更高开关频率时。
另外,大联大品佳代理的Infineon还推出基于SiC MOSFET技术的1200V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接,有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计,每种封装的模块均有11mΩ和23mΩ的RDS(ON)额定值选项。
特色
Infineon的CoolSiC MOSFET采用沟槽栅技术,兼具可靠性与性能优势,在动态损耗方面树立了新标杆,相比1200V硅(Si)IGBT低了一个数量级。该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5V电压。它们将4V基准阈值额定电压(Vth)与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括:低温度系数的开关损耗和无阈值电压的静态特性。
这些晶体管能像IGBT一样得到控制,在发生故障时得以安全关闭,此外,Infineon碳化硅MOSFET技术可以通过栅极电阻调节来改变开关速度,因此可以轻松优化EMC性能。
应用
当前针对光伏逆变器、不间断电源(UPS)或充电/储能系统等应用的系统改进,此后可将其范围扩大到工业变频器。
倍帝斯科技深圳办事处
2018年新到货:
SAE800G INFINEON 2017+ 4000PCS
FDL100N50F FAIRCHILD 2017+ 1125pcs
AME8500BEETAF29Z AME 2015+ 6000pcs
MAX6499ATA+T MAXIM 2016+ 2500pcs
PE3336-53 PEREGRINE 08+ 6000pcs
PE3236-21 PEREGRINE 08+ 4800pcs
BTW69-1200RG ST 2017+ 6000pcs
SN65220DBVT TI 2017+ 9000pcs
SI4133-GT Silicon 2017+ 3000pcs
STM32F103VET6 ST 2017+ 1000pcs
STM32F105VCT6 ST 2017+ 1000pcs
NUP2105LT1G ON 2018+ 100000pcs
SGB10N60A INF 2011+ 6000pcs
XTR105UA TI 2018+ 5000pcs
TPS74801DRCR TI 2017+ 5000pcs
ACPL-M43T-500E Avago 2017+ 4500pcs
SPN1001-FV1 SPIN 2017+ 1000pcs
MAX706TMJA MAXIM 2016+ 500pcs
TPA6132A2RTER TI 2017+ 10000pcs
欢迎新老客户咨询下单。
Emai:leon@beidisi.com
Tel:18811874309 刘先生 Leon
0755-83234493-808
QQ:1154814594
Skype:livebeidiz