据韩联社12月31日报道，三星电子位于韩国华城的一座芯片工厂在当天发生断电事故，该事故持续约1分钟，造成DRAM和NAND芯片的生产进程中断，预计两到三天才能恢复产能

韩联社的报导还指出，2018年三星电子的平泽芯片厂也曾发生停电事故，当时的损失金额估计达到500亿韩元（约合4300万美元），而这次的断电事故所造成的损失，估计应该有几十亿韩元，约合数百万美元。

根据上面的报道可以看出，这次断电对三星电子造成的影响并不大，经济上的损失以三星的体量微不足道，且生产的中断只要3天就能恢复。然而对全球闪存市场来说，这次事故之后，市场行情会怎么走，才是真正的焦点所在。

据相关介绍，这次断电的华城工厂在三星电子旗下的编号是Fab 17，该厂现同时生产DRAM和NAND，但DRAM产能占的比重更大，突发停产也是对全球DRAM市场的影响更大。综合测算，按照停产三天计算，今年1月全球DRAM供应量将会损失1%（1.25万片wafer）。这看似微小，但仍然可能推动全产业链的涨价。

具体分析这一点，根据调研机构DRAMeXchange的行情数据，在去年12月中旬，DRAM现货价格止跌转升，改变了市场预期，激起了合约市场中买方的备货意愿。按照当时的预估，DRAM合约价可能在今年Q1止跌转升。

由此看，DRAM现在本来就有涨价预期，再加上这次三星华城工厂的停产因素，预料之中的涨价很可能来得更早。

再看NAND这边，即便不算这次断电事故的影响，其自身的变化也由来已久。根据中国闪存市场的行情统计，整个2019年NAND共有两次涨价，第一次是在7月份，涨幅曾一度逼近30%；第二次是在11月底，到去年年底为止已经涨价14%，且这一趋势还在延续。

回顾NAND在去年7月份的这次涨价，当时东芝闪存工厂断电、日本对韩国实行出口管制等突发事件作用于市场供给端，在短期内使NAND价格迅速上涨。然而年中并非电子市场旺季，没有需求端的配合，这波行情也没有走远。

去年11月底的这次涨价则有所不同。首先，电子市场旺季到来，再加上5G市场的预期，需求端一改之前的萎靡；而在供给端，几大闪存厂在2019年的持续减产也终于发挥效用，切实地影响力市场供给。最终，供需配合终于造就了本次NAND涨价行情。

据中国闪存市场的行情数据，512Gb TLC闪存Wafer在去年11月底的报价为4.1美元，到12月底就涨到4.5美元，涨幅接近10%。在上游涨价情况下，存储产品的价格也会水涨船高。据观察，现在市面上不少SSD产品的价格跟11月份比都有不同幅度的上涨。

再回到2019年最后一天发生在三星Fab 17的断电事故，这个时候NAND市场已经积累了一定涨价幅度，再添变数，无异于给NAND价格“空中加油”，最终结果就是让NAND价格飞得更高、飞得更长。

另一方面，考虑到2020年各厂128层NAND上市、中国闪存厂开始供货等因素看，未来的NAND市场还是有一股克制的力道，究竟它能在多大程度上平抑掉涨价的趋势，只能走一步看一步。

最后再总结一下这次断电事故，首先它肯定是影响到了市场的供给，只是程度有待观察。再看需求端，5G手机兴起很可能使得今年Q1电子行业呈现出“淡季不淡”的局势，届时供需缺口会拉得更大，存储器涨价势头也会更猛，这对处于下游的电子制造业和终端消费者显然不利。

然而以三星自身的角度来看，这次断电能够起到去库存的作用，且存储器的涨价因此延续的话，也能让三星获得更好的财务表现，对其而言是利远大于弊。

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