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罗姆即将亮相2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）将于8月29日～31日参加在上海新国际博览中心举办的2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会（以下简称PCIM Asia）（展位号：W2馆2D03）。届时，将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时，罗姆工程师还将在现场举办的“第三代半导体论坛”以及“电力电子应用技术论坛”等同期论坛上发表演讲，分享罗姆最新的功率电子技术成果。
罗姆拥有世界先进的碳化硅为核心的功率元器件技术，以及充分发挥其性能的控制IC和模块技术，在提供电源解决方案的同时，为工业设备和汽车领域的节能化、小型化做出贡献。在本次PCIM Asia展会上，针对日益增长的中国市场需求，罗姆将重点展示以下产品和解决方案：
碳化硅：凭借低开关损耗、低导通电阻特性，为节能做贡献
与传统的硅器件相比，碳化硅器件由于拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能，已经成为下一代低损耗半导体可行的候选元器件。罗姆在碳化硅功率元器件和模块的开发领域处于先进地位，其先进的SiC MOSFET技术实现了业界领先的低导通电阻，充分地减少了开关损耗，并支持15V和18V的栅极-源极电压，有助于在包括汽车逆变器和各种开关电源在内的各种应用中实现显著的小型化和低功耗。在本次展会上，罗姆将带来面向车载应用的第3代以及第4代SiC MOSFET系列产品展示。
氮化镓相关产品：助力应用产品进一步节能和小型化
GaN HEMT作为一种非常有助于提高功率转换效率和实现器件小型化的器件被寄予厚望。2022年，罗姆将栅极耐压高达8V的150V耐压GaN HEMT投入量产；2023年3月，又确立了能够更大程度地发挥出GaN性能的控制IC技术。近期，为助力各种电源系统的效率提升和小型化，推出了器件性能达到业界超高水平的650V耐压GaN HEMT。此外，还结合自身功率电子和模拟两大核心技术优势，又推出了EcoGaN™ Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”，该产品集GaN HEMT和栅极驱动器于一体，使GaN器件轻轻松松即可实现安装，助力减少服务器和AC适配器等的损耗和体积。在本次PCIM Asia展会上，罗姆将展示氮化镓相关的一系列重点产品。
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STGD8NC60KD IRFH5300TRPBF
BSS83EP2S180F1508C3N
AM27S85AB3AOP421 CY883LQ057V3DG02
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